STMicroelectronics Transistoren

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MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
L9338

Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V

... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht ...

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NPN-Transistor
NPN-Transistor
HD1750FX

Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V

... Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz ...

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STMicroelectronics
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
STGB8NC60KDT4

Strom: 8 A
Spannung: 600 V

... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche ...

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STMicroelectronics
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
STGD8NC60KD

Strom: 8 A
Spannung: 600 V

... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche ...

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STMicroelectronics
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
STGF8NC60KD

Strom: 8 A
Spannung: 600 V

... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche ...

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STMicroelectronics
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
STGP8NC60KD

Strom: 8 A
Spannung: 600 V

... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche ...

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STMicroelectronics
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
STGW30NC60KD

Strom: 30 A
Spannung: 600 V

... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Kurzschlussfestigkeitszeit ...

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