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Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse ...
Infineon Technologies AG
Strom: 40 A
Spannung: 40 V
... OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs mit klassenbestem RDS(on) und überragender Schaltleistung Die OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFET 40V-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
Strom: 20 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
Strom: 18 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
Strom: 9 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
Strom: 101 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
Strom: 101 A
Spannung: 600 V
... Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien ...
Infineon Technologies AG
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