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Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...
Infineon Technologies AG
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
Strom: -6,5 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
Strom: -1,9 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
Strom: -100 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im D²PAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
Strom: -0,18 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
Strom: -0,3 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
Strom: -6,5 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bausteins ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
Strom: -1,9 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...
Infineon Technologies AG
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