Silizium-Wafer / 4 inch (100 mm) P

Waferverarbeitung | Wie werden Siliziumwafer hergestellt? Bevor Halbleiter hergestellt werden können, muss Silizium zu Siliziumwafern verarbeitet werden. Dies beginnt mit dem Wachstum von Siliziumblöcken. Das Wachstum eines Siliziumbarrens kann zwischen einer Woche und einem Monat dauern und hängt von vielen Faktoren ab, darunter Größe, Qualität und Spezifikationen. Verschaffen wir uns einen tieferen Einblick in die Verarbeitung von Siliziumwafern und deren Herstellung. Wachstum des Barrens Um einen Siliziumbarren zu züchten, wird das Silizium zunächst auf 1420 °C erhitzt, was über dem Schmelzpunkt von Silizium liegt. Sobald die Kombination aus polykristallinem Silizium und Dotierstoff verflüssigt ist, setzt sich ein einzelner Siliziumkristall, der Keim, auf die Schmelze und berührt die Oberfläche kaum. Der Keimkristall hat die gleiche Kristallorientierung, die für den fertigen Ingot erforderlich ist. slice Sobald der Ingot vollständig gewachsen ist, wird er auf einen groben Durchmesser geschliffen, der etwas größer ist als der Zieldurchmesser des endgültigen Siliziumwafers. Nach mehreren Inspektionen wird der Ingot in die Slice gebracht. Aufgrund der Härte von Silizium werden die Siliziumscheiben mit der Diamantsäge vorsichtig geschnitten, so dass sie etwas dicker sind als die Zielvorgaben. sauber Der letzte und kritischste Schritt im Herstellungsprozess ist das Polieren des Wafers. Dieser Prozess wird in einem Reinraum durchgeführt. Um diesen Reinheitsgrad aufrechtzuerhalten, müssen die Mitarbeiter saubere Kleidung tragen, die den gesamten Körper von Kopf bis Fuß bedeckt und in der sich keine Partikel ansammeln oder festsetzen können. Außerdem stehen sie unter einem Ventilator, der alle kleinen Partikel wegbläst, die sich vor dem Betreten des Raums angesammelt haben könnten.