Nenn-Verlustleistung bei zufällig wiederkehrenden Spitzenimpulsen (PPPM) (10/1000µs): 600 W
Merkmale
● Niedriger inkrementeller Stoßwiderstand
● Ausgezeichnete Klemmfähigkeit
● Gehäuse mit niedrigem Profil und integrierter Zugentlastung
● Typische IR weniger als 1,0 μA über 10 V
● 600 W Spitzenimpulsleistung bei einer 10/1000 μS
Wellenform
● Für oberflächenmontierte Anwendungen zur Optimierung des Platinenplatzes
● Typischer Fehlermodus ist ein Kurzschluss durch überspezifizierte Spannung
oder Strom
● IEC 61000-4-2 ESD 30 kV (Luft), 30 kV (Kontakt)
● EFT-Schutz von Datenleitungen nach IEC 61000
-4-4
● Sehr schnelle Ansprechzeit
● Glaspassivierte Chip-Sperrschicht
● Hohe Temperatur zum Reflowlöten garantiert: 260
°C/30 sec
● Kunststoffgehäuse mit Brennbarkeitsklasse V-0 gemäß Underwriters
Laboratorien
● Erfüllt MSL-Level1, gemäß J-STD-020
● Bleifrei mit mattem Zinn beschichtet
● Halogenfrei und RoHS-konform
● Pb-free E3 bedeutet, dass die Verbindung der zweiten Ebene Pb-frei ist und
das Material der Anschlussoberfläche ist Zinn (Sn) (IPC/JEDEC J-STD609A.01)
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