Aluminiumnitrid (AlN) ist ein hochentwickeltes technisches keramisches Material, das eine äußerst interessante Kombination aus sehr hoher Wärmeleitfähigkeit (bis zu 230 W/m.K) und hervorragenden elektrischen Isolationseigenschaften aufweist.
Dies macht Aluminiumnitrid (AlN) zu einem Keramiksubstrat, das in der Leistungs- und Mikroelektronik breite Anwendung findet. Es wird zum Beispiel als Schaltungsträger (Substrat) in Halbleitern oder als Kühlkörper in der LED-Beleuchtungstechnik oder in der Hochleistungselektronik verwendet.
Vorteile von Aluminiumnitrid(AlN)-Keramiksubstrat
hohe Wärmeleitfähigkeit (170-230W/mK), bis zu 9,5 Mal höher als die von Aluminiumoxid-Keramiksubstrat.
ähnlicher Wärmeausdehnungskoeffizient wie der von Silizium (Si), GaN und GaAs-Halbleitern. Dies trägt zu einer hohen Zuverlässigkeit von Silizium (Si) Chips und thermischen Aufheizzyklen bei.
-Hohe elektrische Isolierung und kleinere Dielektrizitätskonstante.
-Hohe mechanische Festigkeit (450MPa).
-Bessere Korrosionsbeständigkeit gegen geschmolzenes Metall.
-Sehr hohe Reinheit, keine Toxizität.
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