Substrat für die Elektronik

Aluminiumnitrid

Aluminiumnitrid-Wafer-Substrate sind eine entscheidende Komponente in der Halbleiterindustrie und für ihre außergewöhnlichen thermischen und elektrischen Eigenschaften bekannt. Aluminiumnitrid-Materialien (AIN) haben aufgrund ihrer Kompatibilität mit Silizium an Bedeutung gewonnen und eignen sich daher ideal für eine Vielzahl von Anwendungen im Zusammenhang mit Wafern. Die Bedeutung von Aluminiumnitrid-Wafersubstraten Aluminiumnitrid-Wafersubstrate spielen eine wichtige Rolle in der Halbleiterindustrie. Einer der Hauptgründe für ihre Beliebtheit ist ihr thermisches Profil, das dem von Silizium sehr ähnlich ist. Diese Ähnlichkeit macht AIN-Substrate zu einer ausgezeichneten Wahl für Halbleiteranwendungen, bei denen das Wärmemanagement entscheidend ist. Innovacera, ein führender Anbieter dieser Substrate, bietet Aluminiumnitrid-Wafersubstrate in verschiedenen Durchmessern von 2 Zoll bis 8 Zoll an, wobei die Größen 6 Zoll und 8 Zoll am häufigsten verwendet werden. Hauptmerkmale von Aluminiumnitrid (AIN) Aluminiumnitrid (AIN) zeichnet sich durch seine beeindruckenden Eigenschaften aus, die es für fortschrittliche Halbleiteranwendungen besonders geeignet machen. Einige der bemerkenswertesten Merkmale sind: Hohe Wärmeleitfähigkeit: AIN weist eine Wärmeleitfähigkeit von 170-220 W/mK auf, was für die Wärmeableitung in Hochleistungs-Halbleitergeräten von entscheidender Bedeutung ist. Hohe elektrische Isolierung: Die hervorragenden elektrischen Isolationseigenschaften des Materials machen es ideal für den Einsatz in elektronischen Bauteilen, die gegen elektrische Störungen isoliert werden müssen.