Bei der Herstellung von Halbleitern kann Bornitrid als Ätzmittel und Rohmaterial für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden und dient als Schutzschicht, um eine Beschädigung oder Verunreinigung des Bauteils zu verhindern.
Darüber hinaus kann Bornitrid auch als Ausgangsmaterial für die Elektronenstrahlverdampfung zur Herstellung verschiedener Dünnschichtmaterialien verwendet werden.
Zum Beispiel: Elektronenstrahlverdampfungsbeschichtung leitfähiger Bornitrid-Tiegel (BN-Tiegel) - für Dünnschichtabscheidungsanlagen.
Tiegel aus leitfähigem Bornitrid sind hochreine glatte Tiegel, die für Elektronenstrahl-Aufdampfbeschichtungen entwickelt wurden.
Es verfügt über eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit und Thermozykluseigenschaften und reagiert nicht mit verschiedenen Metallen und keramischen Seltenen Erden.
Selbst bei schnellem Erhitzen und Abkühlen bleibt der Tiegel intakt.
Er kann für das Schmelzen von Legierungen, das Sintern von Seltenen Erden und Keramik sowie für Elektronenstrahl-Verdampfungsbeschichtungen verwendet werden.
Er wird häufig für thermische Aufdampfverfahren wie Hochfrequenz-Induktionserwärmung, Beschichtungen, Elektronenstrahl-Aufdampfbeschichtungen, Aluminium- und Siliziumbeschichtungen verwendet.
Tiegel aus leitfähigem Bornitrid bieten hohe Reinheit, hohe Oberflächengüte und hervorragende Eigenschaften für Elektronenstrahlverdampfungsbeschichtungen.
Sie erhöhen die Verdampfungsraten, beschleunigen den Materialwechsel, verbessern die thermische Stabilität und verringern den Energiebedarf, was letztlich die Produktivität und die Kosteneffizienz erhöht.
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