Halbleiterdetektor PVM-2TE-8

dynamischIRkompakt

2.0 - 9,0 µm, zweistufig thermoelektrisch gekühlt, Mehrfachübergang PVM-2TE-8 ist ein zweistufig thermoelektrisch gekühlter IR-Photovoltaik-Mehrfachübergangsdetektor, der auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität basiert. Der Detektor ist für die maximale Leistung bei λopt = 8,0 μm optimiert. Er ist besonders geeignet als Detektor mit großer aktiver Fläche, der im Spektralbereich von 2,0 bis 9,0 µm arbeitet. Das 3° keilförmige, antireflexionsbeschichtete Zinkselenid-Fenster (wZnSeAR) verhindert unerwünschte Störeffekte. Anwendungen: - Spektralbereich von 2,0 bis 9,0 µm - Große aktive Fläche von 1×1 mm^2 bis 3×3 mm^2 - Zweistufig thermoelektrisch gekühlt - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen - Empfindlich für die Polarisation der IR-Strahlung Parameter: PVM-2TE-8 Werkstoff: MCT Typ: Mehrfachverknüpfung Eintauchen: Nicht-Immersion Kühlung: Zweistufig Wellenlänge/ λopt/ µm: 8 Gehäuse: TO8, TO66 Fenster: keilförmig ZnSe AR-beschichtet Detektivität/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥3,0x108 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤4