Halbleiterdetektor PVMI-3TE-10,6
dynamischIRkompakt

Halbleiterdetektor - PVMI-3TE-10,6 - Vigo System - dynamisch / IR / kompakt
Halbleiterdetektor - PVMI-3TE-10,6 - Vigo System - dynamisch / IR / kompakt
Halbleiterdetektor - PVMI-3TE-10,6 - Vigo System - dynamisch / IR / kompakt - Bild - 2
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Eigenschaften

Technologie
Halbleiter, dynamisch, IR
Weitere Eigenschaften
kompakt, robust, thermoelektrisch gekühlt

Beschreibung

2.0 - 13,0 µm, dreistufig thermoelektrisch gekühlt, optisch getaucht, Mehrfachübergang PVMI-3TE-8 ist ein dreistufiger thermoelektrisch gekühlter IR-Photovoltaik-Mehrfachübergangsdetektor, basierend auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität, optisch eingetaucht, um die Parameter des Gerätes zu verbessern. Der Detektor ist für die maximale Leistung bei λopt = 10,6,0 μm optimiert. Er ist besonders nützlich als Detektor mit großer aktiver Fläche, der im Spektralbereich von 2,0 bis 13,0 µm arbeitet. Das mit 3° keilförmigem Zinkselenid antireflexionsbeschichtete (wZnSeAR) Fenster verhindert unerwünschte Störeffekte. Anwendungen: - Spektralbereich von 2,0 bis 13,0 µm - Dreistufig thermoelektrisch gekühlt - Hyperhemiimmersion-Mikrolinsentechnologie angewendet - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen - Empfindlich für die Polarisation der IR-Strahlung Parameter: PVMI-3TE-10,6 Werkstoff: MCT Typ: Mehrfachverknüpfung Eintauchen: Eintauchen Kühlung: Dreistufig Wellenlänge/ λopt/ µm: 10,6 Gehäuse: TO8, TO66 Fenster: keilförmig ZnSe AR-beschichtet Detektivität/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,5x109 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤3

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Kataloge

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.