Halbleiterdetektor PV-4TE-5

IRkompaktrobust

PV-4TE 2-12 μm IR-PHOTOVOLTAIK-DETEKTOREN THERMOELEKTRISCH GEKÜHLT Die Photodetektoren der Serie PV-4TE-λopt (λopt - optimale Wellenlänge in Mikrometern) verfügen über einen IR-Photodetektor auf einem vierstufigen thermoelektrischen Kühler. Die Geräte sind für die maximale Leistung bei λopt optimiert. Die Cut-on-Wellenlänge kann auf Anfrage optimiert werden. Die umgekehrte Vorspannung kann die Ansprechgeschwindigkeit und den Dynamikbereich deutlich erhöhen. Sie führt auch zu einer verbesserten Leistung bei hohen Frequenzen, aber 1/f-Rauschen, das in vorgespannten Bauteilen auftritt, kann die Leistung bei niedrigen Frequenzen verringern. Höchste Leistung und Stabilität werden durch den Einsatz von HgCdTe-Halbleitern mit variablem Spalt, optimierter Dotierung und anspruchsvoller Oberflächenbearbeitung erreicht. Kundenspezifische Geräte mit Quadrantenzellen, Multielement-Arrays, verschiedenen Fenstern, Linsen und optischen Filtern sind auf Anfrage erhältlich. Standarddetektoren sind im TO8-Gehäuse mit wAl2O3- oder wZnSeAR-Fenstern erhältlich. Andere Gehäuse, Fenster und Anschlüsse sind ebenfalls erhältlich. Merkmale: - Hohe Leistung im Spektralbereich von 2,4 - 5,3 µm - Vierstufig thermoelektrisch gekühlt - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen Parameter: PV-4TE-5 Werkstoff: MCT Typ: Fotovoltaik Immersion: Nicht-Immersion Kühlung: Vierstufig Wellenlänge/λopt/µm: 5 Gehäuse: TO8, TO66 Fenster: verkeiltes Al2O3 Erkennbarkeit/ D∗/ m⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,5x1010 Zeitkonstante/ τ /ns: ≤80