Halbleiterdetektor PV-4

dynamischInfrarotIR

2.4 - 4,3 µm, Umgebungstemperatur PV-4 ist ein ungekühlter IR-Photodetektor, der auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität basiert. Das Gerät ist für die maximale Leistung bei λopt = 4,0 μm optimiert. Die Cut-on-Wellenlänge kann auf Anfrage optimiert werden. Die umgekehrte Vorspannung Vb kann die Ansprechgeschwindigkeit und den Dynamikbereich deutlich erhöhen. Es führt auch zu einer verbesserten Leistung bei hohen Frequenzen, aber 1/f-Rauschen, das in vorgespannten Geräten auftritt, kann die Leistung bei niedrigen Frequenzen verringern. Merkmale: - Hohe Leistung im Spektralbereich von 2,4 - 4,3 µm - Betrieb bei Umgebungstemperatur - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen Parameter: PV-4 Werkstoff: MCT Typ: Fotovoltaik Immersion: Nicht-Immersion Kühlung: Nein Wellenlänge/ λopt/ µm: 4 Gehäuse: BNC, TO8, TO39 Fenster: Nein Erkennbarkeit/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-: ≥3,0x109 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤150