Halbleiterdetektor PVMI-4TE-8

Infrarotkompaktrobust

2.0 - 9,0 µm, vierstufig thermoelektrisch gekühlt, optisch getaucht, Mehrfachübergang PVMI-4TE-8 ist ein vierstufiger thermoelektrisch gekühlter IR-Photovoltaik-Mehrfachübergangsdetektor, der auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität basiert und optisch eingetaucht ist, um die Parameter des Geräts zu verbessern. Der Detektor ist für die maximale Leistung bei λopt = 8,0 μm optimiert. Er ist besonders nützlich als Detektor mit großer aktiver Fläche, der im Spektralbereich von 2,0 bis 9,0 µm arbeitet. Das 3° keilförmige Zinkselenid-Fenster mit Antireflexionsbeschichtung (wZnSeAR) verhindert unerwünschte Störeffekte. Anwendungen: - Spektralbereich von 2,0 bis 9,0 µm - Vierstufig thermoelektrisch gekühlt - Hyperhemiimmersion-Mikrolinsentechnologie angewendet - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen - Empfindlich für die Polarisation der IR-Strahlung Parameter: PVMI-4TE-8 Werkstoff: MCT Typ: Mehrfachverknüpfung Eintauchen: Eintauchen Kühlung: Vierstufig Wellenlänge/ λopt/ µm: 8 Gehäuse: TO8, TO66 Fenster: keilförmig ZnSe AR-beschichtet Detektivität/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥6,0x109 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤4