PN-Übergang-Diode CRF02

SMDGleichrichterhohe Dichte

- Durchschnittlicher Durchlassstrom : IF (AV) = 0,5 A - Spitzenwert der Vorwärtsspannung: VFM = 3 V (max) - Sehr schnelle Reverse-Recovery-Zeit: trr = 100 ns (max.) - Kleines, dünnes Gehäuse, geeignet für die Bestückung von Leiterplatten mit hoher Dichte Toshiba Spitzname: "S-FLATTM Bei Dauerbetrieb unter hoher Belastung (z. B. hohe Temperaturen/Stromstärken/Spannungen und erhebliche Temperaturschwankungen usw.) kann die Zuverlässigkeit dieses Produkts erheblich abnehmen, selbst wenn die Betriebsbedingungen (d. h. Betriebstemperaturen/Stromstärken/Spannungen usw.) innerhalb der absoluten Höchstwerte liegen. Bitte legen Sie die entsprechende Zuverlässigkeit anhand des Toshiba Semiconductor Reliability Handbook ("Handling Precautions"/Derating Concept and Methods) und der individuellen Zuverlässigkeitsdaten (d. h. Zuverlässigkeitstestbericht und geschätzte Ausfallrate usw.) fest