Diamantschleifscheibe für das Grob- und Feinschleifen von SiC-Wafern mit längerer Lebensdauer und angemessenen Kosten.
*Werkstoffe: Halbleiterwafer (SiC, GaN, GaAs, LT/LN)
*Anwendung: Waferschleifen / Hinterschleifen (Grob- und Feinschleifen)
[Spezifikationen]
*Für grobes Schleifen
Diamant-Typ: Synthetischer Diamant
Bindung: Poröse keramische Bindung
Schleifmittel-Korngröße: Bis zu #4000
Konzentrationsverhältnis: Bis zu 120
Zahnbreite: 2 - 4mm
Zahnhöhe: Bis zu 6 mm
Äußerer Durchmesser: Bis zu 350 mm
*Für Feinschliff
Diamant-Typ: Synthetischer Diamant
Bindung: Poröse keramische Bindung
Korngröße des Schleifmittels: #5000 - #12000
Konzentrationsverhältnis: Bis zu 120
Zahnbreite: 2 - 4mm
Zahnhöhe: Bis zu 6 mm
Äußerer Durchmesser: Bis zu 350 mm
Unsere poröse keramische Bindungsscheibe "VEGA" hat sowohl einen größeren Porendurchmesser als auch eine höhere Porosität als herkömmliche Scheiben und maximiert so die Bissleistung in Arbeitsmaterialien
Sie ist besonders geeignet für das Schleifen von SiC-Wafern und kann 6" SiC-Wafer ohne Abrichten schleifen. Die hervorragende Verschleißfestigkeit erhöht die Anzahl der Wafer, die pro Scheibe bearbeitet werden können, und trägt zur Senkung der Kosten für die Waferbearbeitung bei.
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