Weit verbreitet in integrierten Halbleiterschaltungen, einschließlich Schneiden und Würfeln von Einzel- und Doppelmesa-Glaspassivierungsdioden-Wafern, Schneiden und Würfeln von Einzel- und Doppelmesa-Thyristor-Wafern, Schneiden und Würfeln von Galliumarsenid, Galliumnitrid, IC-Wafern.
Prinzip des Pikosekunden-Laserritzens (Focus Burst Cutting in transparentem Material):
Der Gaußsche Laserstrahl wird durch das optische System nach Bessel oder DOE bis zur Beugungsgrenze komprimiert. Unter der Wirkung des Laserstrahls mit einer hohen Repetitionsrate von 100-200KHz und einer sehr kurzen Pulsbreite von 10ps ist der Durchmesser des fokussierten Flecks nur 3μm klein, und er hat eine sehr hohe Spitzenleistung. Wenn er im Inneren des transparenten Materials fokussiert wird, verdampft er sofort das Material in dem Bereich, um eine Verdampfungszone zu erzeugen, und diffundiert zu den oberen und unteren Oberflächen, um nichtlineare Risse zu bilden, wodurch das Schneiden und Trennen des Materials realisiert wird. Gängige transparente Materialien wie Glas, Saphir und Halbleiter-Silizium-Wafer (Infrarotstrahlung ist in der Lage, Halbleiter-Silizium-Materialien zu durchdringen) sind für das Ritzen mit Pikosekunden- und Femtosekundenlasern geeignet.
Merkmale
Mehrere Laserbetriebsarten und Strahlformung zur Gewährleistung von Schnittqualität und Effizienz
Einzigartige Wellenfrontkorrekturtechnologie gewährleistet hochpräzise Bearbeitung und Konsistenz
Automatische Positionierung, automatische Fokussierung und automatische Erkennung zur Gewährleistung der Produktionsausbeute
Automatisches Schneiden oder manuelles Schneiden großer Grafiken ist möglich, und die Spleißgenauigkeit beträgt bis zu ±1 um
Unterstützt Schärfolie, TAIKO Filmtransferfolie
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