RF-Transistormodul
FETHEMTGaAs

RF-Transistormodul
RF-Transistormodul
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Eigenschaften

Typ
FET, HEMT
Weitere Eigenschaften
geräuscharm, GaAs, RF

Beschreibung

GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen.

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JIMTOF 2024
JIMTOF 2024

5-10 Nov. 2024 Tokyo (Japan)

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