Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet.
Alle Merkmale
Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat))
Kurzschlussfestigkeitszeit 10 μs
Niedriges Cres/Cies-Verhältnis (keine Querleitungsanfälligkeit)
IGBT in Co-Packung mit ultraschneller Freilaufdiode
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