IGBT-Transistor STGF8NC60KD
Schalt

IGBT-Transistor - STGF8NC60KD - STMicroelectronics - Schalt
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Eigenschaften

Typ
IGBT
Technologie
Schalt
Strom

8 A

Spannung

600 V

Beschreibung

Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche antiparallele Diode mit schneller Erholung Niedriges CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsempfindlichkeit) Kurzschlussfestigkeit 10µs

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MWC 2025
MWC 2025

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