NPN-Transistor HD1750FX
LeistungSilizium

NPN-Transistor - HD1750FX - STMicroelectronics - Leistung / Silizium
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Eigenschaften

Typ
NPN
Technologie
Leistung
Weitere Eigenschaften
Silizium
Strom

24 A

Spannung

1.700 V

Beschreibung

Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz auf und bringt eine aktualisierte Leistung für die Horizontalablenkungsstufe. Alle Merkmale MODERNSTE TECHNOLOGIE: DIFFUSER KOLLEKTOR "VERBESSERTE GENERATION" EHVS1 WENIGER EMPFINDLICH GEGENÜBER SCHWANKUNGEN DER BETRIEBSTEMPERATUR BREITERES SPEKTRUM AN OPTIMALEN BETRIEBSBEDINGUNGEN VOLLSTÄNDIG ISOLIERTES LEISTUNGSPAKET, DAS DIE ANFORDERUNGEN DER EU-RICHTLINIE ERFÜLLT

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Kataloge

HD1750FX
HD1750FX
8 Seiten

Messen

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MWC 2025
MWC 2025

3-06 März 2025 Barcelona (Spanien) Halle 7 - Stand 7A61

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    * Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.