Rohrförmiger Ofen ESY–10 TTT

für FlüssigphasenepitaxievertikalGraphit

LPE-Anlagen für den flexiblen Einsatz Die Schlüsselmerkmale des SOF Optoelectronics ESY-10 Konzepts sind eine hohe Kapazität kombiniert mit der Flexibilität für verschiedene Arten von LPE-Produktionstechnologien. Eine Kapazität von 50 Wafern für einen Fünf-Schmelz-Prozess und 200 Wafern für einen Ein-Schmelz-Prozess zeigen das hohe Potenzial dieses Anlagentyps. Neben dem Standard ESY-10 Equipment für den industriellen Einsatz können auch kundenspezifische Lösungen mit einer Vielzahl von Optionen realisiert werden. Die ESY-10 kann insbesondere an die Anforderungen von Forschungsinstituten und Universitäten angepasst werden. Der ESY-10 kann als Einzel- oder Doppelanlage konzipiert werden, um die Stellfläche im Reinraum zu reduzieren. Verfügbare Produktionstechnologien Standard-Infrarot Leistungs-Infrarot Leistungs-IR (Niedrig-UF) Leistungsfenster IR Leistungsinfrarot für IrDA 870 nm Leistungsinfrarot für IrDA 850 nm Niedrig dotiertes GaAs Technische Highlights Einzel- oder Doppel-System Vertikale LPE-Quarzröhre 3 Heizzonen Konstante Temperatur Flachzone: 250 mm Temperaturen bis zu 1.050°C Temperaturregelungsgenauigkeit: ± 0,5 °C Min. Platzbedarf: 1,2 x 1,2 m² Hohe Homogenität der Schichtdicke durch horizontales Schichtwachstum Vollautomatische Computer- Gesteuerte Verarbeitung Datenaufzeichnung aller Prozess-Parameter Geeignet für mehrschichtige Epitaxie-Prozesse Geeignet für Wafer-Durchmesser bis zu 4″ Flexible Anpassung der Wafer-Kapazität Minimum 3 Wafer für Entwicklung Maximal 200 Wafer für die Produktion Im Prinzip besteht das ESY-10 Graphitsystem aus abwechselnd festen und beweglichen Graphitplatten mit Hohlräumen, die die Substrate halten. Die Systemkapazität wird durch die Stapelhöhe der Graphitplatten bestimmt.