Prozessreaktor ESY–10/S

rohrförmigkombiniert

LPE-Reaktor, entwickelt für die besonderen Anforderungen des Wachstums von II-VI-Verbindungshalbleitern. MCT HgCdTe-Epitaxie für Anwendungen in der Wärmebildtechnik. LPE-Anlagen für II-VI-Technologien Der LPE-Reaktor ESY-10/S Concept wurde von SOF Optoelectronics für die speziellen Anforderungen des LPE-Wachstums von II-VI-Verbindungshalbleitern wie HgCdTe entwickelt. Die hohe Kapazität von 200 cm² pro Epitaxieprozess in Kombination mit dem einzigartigen Tiegelmaterial und dem Design für die Schmelzehomogenisierung sind die Hauptmerkmale dieser Anlage, die weltweit erfolgreich in verschiedenen Anwendungen eingesetzt wird Neben dem Standardofen ESY-10/S für den industriellen und F&E-Einsatz können kundenspezifische Lösungen mit einer Vielzahl von Optionen realisiert werden. Der ESY-10/S kann durch ein integriertes unabhängiges Glühofensystem perfekt ergänzt werden. Eine versiegelte Stickstoff-Ladebox ermöglicht dem Bediener das Be- und Entladen der Ofenrohre unter Schutzatmosphäre LPE-Ofen - Technische Highlights Einzel- oder 2-Rohr-Kombiofen mit vertikalem LPE- und Glühquarzrohr 3 Heizzonen für Epitaxie und 1 unabhängige Heizzone für Hg-Quelle Hg-Dampf-Quelle im Ofenrohr Temperaturen bis zu 750°C Temperaturregelungsgenauigkeit: ± 0,5 °C Geeignet für Wafer bis zu 49 cm² Bis zu 6 Wafer pro Epitaxieprozess Perfektes Schichtwachstum Einfaches Entfernen der festen Schmelze nach dem Prozess Schutz der Waferoberfläche vor und nach Epi-Growth Vollautomatischer computergesteuerter Prozess Datenprotokollierung aller Prozess-Parameter Geschlossene Loading-Glove-Box mit N2-Atmosphäre Das Arbeitsprinzip der LPE-Anlage ist die Technologie der Flüssigphasenepitaxie (LPE) unter Verwendung einer rotierenden Tauchboot-Technik