EP-Serie photoelektrischen Sensor, mit CE-Zertifizierung, Standard gemeinsame Größe, kann die internationale Marke in schönen Preis zu ersetzen; Annahme importiert Mikrochip, schnelle Reaktionszeit.
Standardgröße:
Universelle Standardgröße, die viele chinesische und internationale Marken ersetzen kann;
Eingebautes M3-Metallgewinde zur Verstärkung des Sensors;
Importierte Chip-Design wird angenommen, schnellere Reaktionszeit;
Anti-Interferenz:
Optimierte Interferenzvermeidungsalgorithmus, stärkere Fähigkeit in Anti-Licht und elektromagnetische Störungen;
Annahme Anti-Interferenz-Design, können bis zu zwei Sensoren zueinander installiert werden;
Ausgestattet mit einem Schutz gegen Verpolung des Ausgangs, um einen Ausfall der Sensorverdrahtung zu vermeiden.
Die Empfindlichkeit kann eingestellt werden:
Drei-Draht-Typ, einstellbare Empfindlichkeit, NO/NC umschaltbar;
Die Einstellung der optischen Achse ist einfach, und die Abweichung zwischen der optischen Achse und der mechanischen Achse wird innerhalb von ±2,5° kontrolliert.
Parameter:
- Tastweite: Einweglichtschranke: 2m, 6m, 20m Rückstrahlend: 3m 100mm] Diffuse Reflexion: 100mm,,600mm,300mm,20-200mm
- Erkennungsobjekt : Einweglichtschranke: > φ 12mm undurchsichtiges Objekt Retro-Reflexion: >φ75mm Objekt Diffuse Reflexion: undurchsichtiges Objekt, halbtransparent, transparent
- Reaktionszeit: <1ms
- Anzeigewinkel: 2~10°
- Versorgungsspannung: DC 12 ~24V
- Stromverbrauch : Einweglichtschranke: <35mA
- Retro-Reflexion: <10mA; Diffuse Reflexion:<25mA
- Ausgangssignal : NPN-Transistor: maximaler Strom 80mA; externe Spannung 30V DC (Ausgang-0V); Restspannung <2v (bei Strom 80mA), <1v (bei Strom 16mA);
- PNP-Transistor: maximaler Strom 80mA; externe Spannung 30V DC (Ausgang-+V); Restspannung <2v (bei Strom 80mA), <1v (bei Strom 16mA);
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