Die Wafer-Mapping-Einheit ist in der Lage, die Schichtdicke auf der gesamten Oberfläche von Wafern bis zu 300 mm automatisch zu messen. Die automatische Ausrichtungsfunktion, die Selbstkalibrierungsfunktion und der Waferchuck mit hoher Ebenheit ermöglichen eine äußerst zuverlässige Schichtdickenmessung. Dieses Gerät wird in Kombination mit dem kompakten Schichtdickenmessgerät verwendet.
Es kann an der Ladeöffnung von Halbleiterfertigungsanlagen installiert werden, um die Schichtdicke auf der Fertigungsanlage zu kontrollieren und gleichzeitig die Sauberkeit zu gewährleisten.
1 Automatische Schichtdickenmessung von bis zu 300 mm Wafern ist möglich
2 Automatische Ausrichtungsfunktion
3 Automatische Kalibrierungsfunktion
4 Verbesserte Messzuverlässigkeit auf der Waferoberfläche durch Verwendung eines Wafer Chucks mit hoher Ebenheit
5 Unterstützt die Automatisierung
6 Installation eines Ladeanschlusses
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