Diese Serie hochpräziser Monosilizium-Differenzdrucksensoren zeichnet sich durch extrem hohe Überlastfähigkeit, perfekte Temperaturkompensation, bequeme Installation und Kompatibilität aus und kann in verschiedenen industriellen Kontrollbereichen eingesetzt werden.
Merkmale
FST-Monosilizium-MEMS-Chip zur Verkapselung, Präzision bis zu 0,04%FS
Ausgezeichnete Überlastfähigkeit
Geeignet für Unterdruckmessung
Intelligente statische Druck- und Temperaturkompensation, kompatibel mit starken Bedingungen
Anwendung
Petroleum, chemische Industrie, elektrische Energie, Papierherstellung, Metallurgie, Kohlegas usw.
Grundlegende Spezifikation
Überlast - 150%F.S
Spannung - 5V DC
Signalausgang - 40-200mV
Nichtlinear - ≤0,1%F.S
Statische Druckeigenschaften - ≤±0.1%F.S/10MPa
Langzeitdrift - ≤0,05%F.S/yr.
Gehäusewerkstoff - SS316
Membranmaterial - SS316L、Hastelloy、Tantalum、Vergoldung und etc.
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