Power Modul 1700V IGBT E7

1700-V-Bauteile erhalten mit dem IGBT E7 einen Leistungsdichteschub. Im Vergleich zum weit verbreiteten 1700-V-IGBT4 bietet der neue IGBT E7 die gleiche Stromstärke bei stark reduzierter Chipfläche. Neben diesem herausragenden Sprung in der Leistungsdichte ist auch die Vorwärtsspannung um bis zu 20 % gesunken, was zu geringeren Leitungsverlusten und einer höheren Effizienz führt. Um die neue Generation 7 IGBTs in einem industriellen Standardgehäuse anbieten zu können, führt SEMIKRON den 1700V IGBT E7 im SEMiX 3 Press-Fit Gehäuse ein. Mit einem breiten Portfolio, das bis zu 900A Nennstrom reicht, bietet SEMIKRON eine erstklassige Leistungsdichte mit der neuesten Technologie. Erhöhte Stromdichte dank IGBT E7 Bis zu 20% niedrigere VCE,sat im Vergleich zu 1700V IGBT4 Standard-Industrie-Einpressgehäuse Portfolio von 220A bis zu 900A Hohe Leistungsdichte dank reduzierter Chipgröße Erhöhter Wirkungsgrad mit niedrigerem VCE,sat Standard-Industrie-Einpressgehäuse Optimiert für Motorantriebsanwendungen