Power Modul / SiC SEMITOP® E1/E2

Einführung in das neueste SiC-Portfolio Ergänzen Sie Siliziumkarbid mit Gehäusen mit niedriger Induktivität Erreichen Sie eine höhere Leistungsdichte mit dem neuen SEMITOP E1/E2 Siliziumkarbid-Portfolio. Mit Kommutierungsinduktivitäten von bis zu 4nH sind die SEMITOP E1/E2-Gehäuse die perfekte Ergänzung zur neuesten SiC-Technologie. SEMIKRON bietet nicht nur Pin-Layouts nach Industriestandard, sondern auch ein Layout, das das PCB-Design und die Parallelschaltung von Modulen vereinfacht. Zusätzlich zum Industriestandard-Gehäusedesign bieten die SEMITOP E1/E2 auch einen bis zu 20% geringeren Wärmewiderstand im Vergleich zu herkömmlichen Designs. Dadurch können die Chips kühler arbeiten, was die Produktlebensdauer verlängert und den Aufwand für die Kühlung reduziert SEMITOP E1/E2-Gehäuse im Industriestandard Niedrige Kommutierungsinduktivität, bis zu 4nH Kelvin-Quelle und Temperatursensor für alle Module enthalten Portfolio von 40A bis 250A basierend auf 1200V SiC MOSFET Halbbrücken-, H-Brücken-, Sixpack- und TNPC-Topologien Sicherheit in der Lieferkette dank mehrfacher Beschaffung bis auf Chipebene Hohe Leistungsdichte dank 20%iger Rth-Reduzierung Reduzierte Magnetik bei hoher Schaltfrequenz Vereinfachtes PCB mit zusätzlich optimiertem SEMIKRON Pin-Layout