UV-Fotodiode SG01S-18D

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Die SG01S-18D ist eine breitbandige SiC-UV-Photodiode, die die einzigartigen Eigenschaften extremer Strahlungshärte, nahezu perfekter sichtbarer Blindheit, geringen Dunkelstroms, hoher Geschwindigkeit und geringen Rauschens aufweist. Diese Eigenschaften machen SiC zum besten verfügbaren Material für sichtbar blinde Halbleiter-UV-Detektoren. Die SiC-Detektoren können dauerhaft bei bis zu 170°C (338°F) betrieben werden. Der Temperaturkoeffizient des Signals (Empfindlichkeit) ist ebenfalls niedrig, < 0,1%/K. Aufgrund des geringen Rauschens (Dunkelstrom im fA-Bereich) können sehr geringe UV-Strahlungsintensitäten zuverlässig gemessen werden. - UV-Breitband (UVA+UVB+UVC) - 0,06mm2 Detektorfläche - Verwendet einen Diffusor, um eine lambertsche Reaktion über die Apertur zu erzeugen - TO18 hermetisch abgedichtetes Metallgehäuse, 1 isolierter Stift und 1 Gehäusestift - 10 mW/cm2 Bestrahlung bei 280 nm (Spitzenempfindlichkeit) ergibt einen Strom von ca. 100 nA - SiC-Chip mit PTB gemeldeter hoher Strahlungshärte