Die SG01S-18 ist eine breitbandige SiC-UV-Photodiode, die die einzigartigen Eigenschaften extremer Strahlungshärte, nahezu perfekter sichtbarer Blindheit, geringen Dunkelstroms, hoher Geschwindigkeit und geringen Rauschens aufweist. Diese Eigenschaften machen SiC zum besten verfügbaren Material für sichtbar blinde Halbleiter-UV-Detektoren.
Die SiC-Detektoren können dauerhaft bei bis zu 170°C (338°F) betrieben werden. Der Temperaturkoeffizient des Signals (Empfindlichkeit) ist ebenfalls niedrig, < 0,1%/K. Aufgrund des geringen Rauschens (Dunkelstrom im fA-Bereich) können sehr geringe UV-Strahlungsintensitäten zuverlässig gemessen werden.
- UV-Breitband
- 0,06mm2 Detektorfläche
- TO18 hermetisch abgedichtetes Metallgehäuse, 1 isolierter Pin und 1 Gehäusestift
- 10 mW/cm2 Bestrahlung bei 280 nm (Spitzenempfindlichkeit) ergibt einen Strom von ca. 780 nA
- SiC-Chip mit PTB gemeldeter hoher Strahlungshärte
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