UV-Fotodiode SG01S-18
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Eigenschaften

Merkmal
UV
Installierung
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Beschreibung

Die SG01S-18 ist eine breitbandige SiC-UV-Photodiode, die die einzigartigen Eigenschaften extremer Strahlungshärte, nahezu perfekter sichtbarer Blindheit, geringen Dunkelstroms, hoher Geschwindigkeit und geringen Rauschens aufweist. Diese Eigenschaften machen SiC zum besten verfügbaren Material für sichtbar blinde Halbleiter-UV-Detektoren. Die SiC-Detektoren können dauerhaft bei bis zu 170°C (338°F) betrieben werden. Der Temperaturkoeffizient des Signals (Empfindlichkeit) ist ebenfalls niedrig, < 0,1%/K. Aufgrund des geringen Rauschens (Dunkelstrom im fA-Bereich) können sehr geringe UV-Strahlungsintensitäten zuverlässig gemessen werden. - UV-Breitband - 0,06mm2 Detektorfläche - TO18 hermetisch abgedichtetes Metallgehäuse, 1 isolierter Pin und 1 Gehäusestift - 10 mW/cm2 Bestrahlung bei 280 nm (Spitzenempfindlichkeit) ergibt einen Strom von ca. 780 nA - SiC-Chip mit PTB gemeldeter hoher Strahlungshärte

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.