CVD-Plasmaquelle
PVDfür Oberflächenbehandlung

CVD-Plasmaquelle
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Eigenschaften

Merkmal
CVD, PVD, für Oberflächenbehandlung

Beschreibung

RF-Atomquelle für atomaren Sauerstoff und atomaren Stickstoff Minimierte Leistungsverluste durch optimiertes Design Die Entladezone ist aus hochwertigen Materialien gefertigt, die eine minimale Kontamination des Strahls gewährleisten Null-Ionen-Strom-Konfiguration als Standard Das Wachstum hochwertiger Verbundwerkstoffe erfordert idealerweise neutrale, atomare Spezies. Molekulare Gase wie Sauerstoff oder Stickstoff haben dagegen in Größenordnungen weniger reaktiv gezeigt, als wenn sie in atomarer Form dissoziiert werden. Daher erfordert die Oxidbildung mit molekularem Sauerstoff typischerweise stark erhöhte Temperaturen und/oder längere Oxidationsperioden, während molekularer Stickstoff für viele Materialien nahezu keine Reaktivität zeigt. So erhöhen die dissoziierten Arten die Reaktivität um viele Größenordnungen und ermöglichen so den Anbau von Oxiden oder Nitriden bei niedrigem Druck und bei angemessenen Substrattemperaturen. Allerdings sind ionische Spezies, die in Plasmaprozessen erzeugt werden, in der Regel energetisch und erzeugen möglicherweise Punktdefekte. Andererseits tragen Atomarten eine vernachlässigbare kinetische Energie und ermöglichen so ein schnelles Filmwachstum ohne Defekte zu erzeugen.

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