Durch Anpassung des Fermi-Energieniveaus der Zelle, Kontrolle der Gesamtmenge und des Valenzzustands von H, Verbesserung der Effizienz der H-Passivierung und Defektreparatur, Verringerung des LID-Effekts von P-Typ-Zellen und Verbesserung der Umwandlungseffizienz von N-Typ-Zellen.
Prozessablauf:
Vorheizen →Lichtinjektion →Kühlung
Zweigleisige Produktionslinie, das Gestell und die elektrischen Teile sind völlig unabhängig voneinander, ohne sich gegenseitig zu stören.
Hoher Durchsatz: Übereinstimmung mit dem Durchsatz des Siebdruckverfahrens, CT≤0,80s, basierend auf der Silizium-Wafergröße M10 (18X±0,5mm*18X±0,5mm).
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