AlO+SiN-Dünnschichtabscheidung.
- Atomlagenabscheidungsverfahren mit besserer Schichtgleichmäßigkeit.
- Mehrschichtige Dünnschichten werden in der gleichen Prozessausrüstung oder im gleichen Ofenrohr abgeschieden, was die Prozessschritte und die Bruchrate der Wafer reduziert und die Ausbeute effektiv verbessert.
- Unabhängige Forschung und Entwicklung von Flüssigkeitsquellen für die Dampfzufuhr und die Technologie für den schnellen Wechsel des Präkursors.
- Geeignet für die Abscheidung von Passivierungsschichten für verschiedene Ausgangsstoffe und Materialien, mit einem großen Spielraum für die Prozesserweiterung.
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