Für die Texturierung und Reinigung von monokristallinen Wafern.
Prozessablauf:
Entfernung von Sägeschäden→Vorreinigung→Monotexturierung→Nachreinigung/O3-Reinigung→Säurereinigung→Heißwassertrocknung→Trocknung (nur als Referenz)
- Durchsatz: 600 Stück/Charge, 12000 Stück/h--210-Wafer (100 Stück Kassette), 720 Stück/Charge, 15000 Stück/h--182-Wafer (120 Stück Kassette).
- Prozessbad Zirkulationsvolumen einstellbar.
- Gleichmäßige Pyramidenstruktur, Ätztiefe einstellbar.
- Mit sauberem Trockenbereich und selbstreinigendem Trockensystem.
- Geringer H2O2-Verbrauch.
- Schneller Inline-Badwechsel.
- Erhältlich mit MES, RFID-System, Inline-Gewichtsprüfung optional.
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