Dünnschicht-Auftragsmaschine PD-1022/UD

Intrinsische und dotierte amorphe Siliziumschichten. Verfahren Ionisierte Vorläufergase scheiden dünne Schichten auf einem Substrat ab. - Schnelle RF-Zündung mit geringster Reflexionsleistung für eine gleichmäßige und stabile Schichtabscheidung. - Ausgereifte und stabile Mehrfachzuführung in RF-Technologie, die auch für große Prozesskammern geeignet ist. - Kontinuierlich einstellbares Gas zwischen Diffusor und Substrat bietet flexible Prozessmöglichkeiten. - Hoher Durchsatz bei relativ niedrigen Kosten, mit der Möglichkeit eines kundenspezifischen Produktdesigns. - Modularisiertes Design für einfache Installation und Wartung, zusammen mit höchstem Sicherheitsprotokoll vom Design bis zur Herstellung.