Hauptsächlich verwendet für die Erzeugung von Antireflexionsschichten höchster Qualität bei der Herstellung von kristallinen Silizium-Solarzellen und für die Abscheidung von Passivierungsschichten auf der Rückseite von Solarzellen.
Graphitschiffchen und Wafer bereit→ Stickstoffeinlass→ Graphitschiffchen einlegen→ Vakuumieren, Druckprüfung →Ammoniakvorreinigung und -prüfung→ Rohr vakuumieren, Dichtigkeitsprüfung, konstante Temperatur→ Vorbeschichtung → Beschichtung→ Vakuumieren, Druckprüfung→ Rohrreinigung und Stickstoffeinlass→ Graphitschiffchen entladen.
- Kompatibel mit SiOxNy PERC Prozess.
- Doppelte Kühlwasserflansch-Dichtungstechnologie.
- Patentierte interne Heiztechnologie.
- Integrierter Hochgeschwindigkeits-Mechanismus zum Schieben von Modulen.
- Graphitschiffchen berührungslos mit Quarzrohr.
- MES-Software mit unabhängigem geistigen Eigentumsrecht.
- Eigenständig entwickeltes CCC-System
- Schnelle Beschichtungstechnologie.
- Alarmschutz bei Überhitzung, Thermoelementbruch und Bootskollision.
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