DRAM-Speicherchip KHA843801B-MC12

DRAM-Speicherchip - KHA843801B-MC12 - Samsung Semiconductor
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Eigenschaften

Typ
DRAM

Beschreibung

Fahren des Wachstums von den neuen Technologien Samsung HBM Flarebolt revolutioniert Gedächtnis, indem es hohe Bandbreite bevollmächtigt, schnelle Datenübertragung, moderne Grafiken und Vernetzung FolgendgEN in den kleinen Formfaktoren. Das Bewegen auf das folgende Niveau von HPCProven-Zuverlässigkeit mit niedrigerem PowerHighly kondensierte Paket

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MWC 2025
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3-06 März 2025 Barcelona (Spanien) Halle 2 - Stand 2K40

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