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DRAM-Speicherchip K4B1G1646I-BHMA

DRAM-Speicherchip - K4B1G1646I-BHMA - Samsung Semiconductor
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Eigenschaften

Typ
DRAM

Beschreibung

Vervollkommnen Sie für jede Datenverarbeitungsumwelt Im Jahre 2005 entwickelt, Samsungs ist Industrie-erstes DDR3 die benutzte Systemlösung, von den PC und von den Haushaltsgeräten, zu Automobil- und zu den medizinischen Geräten. Hohe Geschwindigkeit und PerformanceLow-Energie, leistungsfähige D-RAM Lösung

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Dies ist eine automatische Übersetzung.  (Originaltext auf Englisch anzeigen)

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MWC 2025
MWC 2025

3-06 März 2025 Barcelona (Spanien) Halle 2 - Stand 2K40

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