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Wasserreinigungsanlage SC-CSZJ9600E-20FTrockenProzessfür Wafer
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Eigenschaften
- Technologie
- Wasser, Trocken
- Anwendung
- Prozess, für Wafer
Beschreibung
Wird für die Entfernung und Reinigung der diffundierten Siliziumscheiben verwendet.
Prozessablauf
Wrap Around Removal→Post-clean→Acid Clean→Post-clean→Acid Clean→Hot Water Drying→Drying (als Referenz)
- Durchsatz: 400 Stück/Charge, 9600 Stück/Stunde (210mm-Wafer), 480 Stück/Charge, 12000 Stück/Stunde (182mm-Wafer).
- Verschiedene Additivtechnologien verfügbar.
- Waferdicke bis zu 120μm.
- Mit Trockenreinigungsbereich und Selbstreinigungssystem.
- Schneller Inline-Badwechsel.
- Erhältlich mit MES, RFID-System, Inline-Gewichtsprüfung optional.
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.