- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RT50PI120T6H-MSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
Beschreibung
Merkmale:
- Field Stop Trench Gâte IGBT
- Kurzschlussfest> 1Ops
- Niedrige Sättigungsspannung
- Niedriger Schaltverlust
- 100% RBSOA-geprüft - (2x|c)
- Geringe Streuinduktivität
- Bleifrei. Kompatibel mit RoHS-Anforderungen
Anwendungen:
- Industrielle Umrichter
- Servo-Anwendungen
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.