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- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RT200TL65A8H-S09Schalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
Beschreibung
Merkmale:
- Feldstopp Trench Gate IGBT
- Kurzschlussfestigkeit>10ps
- - Niedrige Sättigungsspannung
- Niedriger Schaltverlust
- 100% RBSOA-geprüft (2*lc)
- Geringe Streuinduktivität
- Bleifrei, konform mit RoHS-Anforderungen
- Montagelösung mit PressFIT-Signalstiften und Schraubanschlüssen für die Stromversorgung
Anwendungen:
- - Motorantriebe
- - Solaranwendungen
- - UPS-Systeme
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Kataloge
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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