MOSFET RVF3878PN
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Beschreibung
RVF3878PN ist ein N-Kanal Enhancement Mode Power MOS Feldeffekttransistor, der unter Verwendung der von Rongtec entwickelten F-Cell™ Struktur VDMOS-Technologie hergestellt wird. Die verbesserte planare Streifenzelle und die verbesserte Schutzklemme wurden speziell entwickelt, um den Widerstand im Betriebszustand zu minimieren, eine hervorragende Schaltleistung zu bieten und hochenergetischen Impulsen im Lawinen- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Geräte werden häufig in AC-DC-Netzteilen, DC-DC-Wandlern und H-Brücken-PWM-Motortreibern eingesetzt.
FEATURES
♦Low Gate-Ladung
♦Low Crss
♦Fast Vermittlung
♦Improved dv/dt Fähigkeit
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Kataloge
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Mosfet power semi conductors
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.