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MOSFET RTV10180NT(D)

MOSFET - RTV10180NT(D) - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Beschreibung

BESCHREIBUNG Der RVT10180NT/D ist ein N-Kanal Enhancement Mode Power MOS Feldeffekttransistor, der in RongteLVMOS-Technologie hergestellt wird. Die verbesserte Prozess- und Zellstruktur wurde speziell darauf zugeschnitten, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine hervorragende Schaltleistung zu erzielen. Dieses Gerät wird häufig in den Bereichen unterbrechungsfreie Stromversorgung und Leistungsmanagement von Wechselrichtersystemen eingesetzt. FEATURES ♦Low Gate-Ladung ♦Low Crss ♦Fast Vermittlung ♦Improved dv/dt Fähigkeit

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Dies ist eine automatische Übersetzung.  (Originaltext auf Englisch anzeigen)

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.