- Produkte
- Silizium-MOSFET
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Silizium-MOSFET RM60N10PA
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Eigenschaften
- Material
- Silizium
Beschreibung
Diese MOSFETs vonRongtech Industry(ShangHai) Inc,. Die fortschrittliche 6-Zoll-Technologie ermöglicht einen extrem niedrigen statischen Drain-to-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Aus diesem Grund hat dieser MOSFETs einen niedrigen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit verbessert.
Merkmal:
VDS=100V,ID=60A Rdson≦23mΩ @VGS=10V (Typ:18.0mΩ)
Erweiterter sicherer Betriebsbereich
Niedrige Rückwärtsübertragungskapazitäten
100% Einzelimpuls-Lawinenenergietest
Anwendung
-Stromschaltanwendung
-DC-Motorsteuerung
- USV
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Kataloge
RM60N10PA
5 Seiten
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Mosfet power semi conductors
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.