- Produkte
- Silizium-MOSFET
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Silizium-MOSFET RM50N06PA
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Eigenschaften
- Material
- Silizium
Beschreibung
Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc,. Die fortschrittliche 6-Zoll-Technologie ermöglicht einen extrem niedrigen statischen Drain-to-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Aus diesem Grund haben diese MOSFETs einen geringen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.
Merkmal:
VDS=60V,ID=50A Rdson≦21mΩ @VGS=10V (Typ:16mΩ)
Erweiterter sicherer Betriebsbereich
Niedrige Rückwärtsübertragungskapazitäten
100% Einzelimpuls-Lawinenenergietest
Anwendung
-Stromschaltanwendung
-DC-Motorsteuerung
- USV
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Kataloge
RM50N06PA
5 Seiten
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Mosfet power semi conductors
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.