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Silizium-MOSFET RM40N10PK

Silizium-MOSFET - RM40N10PK - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Eigenschaften

Material
Silizium

Beschreibung

Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. verfügen über eine fortschrittliche 6-Zoll-Technologie, um einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on) zu erreichen. Aus diesem Grund haben diese MOSFETs einen geringen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht. Merkmal: VDS=100V,ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ) Erweiterter sicherer Betriebsbereich Niedrige Rückwärtsübertragungskapazitäten 100% Einzelimpuls-Lawinenenergietest Anwendung -Stromschaltanwendung -DC-Motorsteuerung - USV

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Dies ist eine automatische Übersetzung.  (Originaltext auf Englisch anzeigen)

Kataloge

RM40N10PK
RM40N10PK
5 Seiten

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.