- Produkte
- Silizium-MOSFET
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Silizium-MOSFET RM40N10PK
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Eigenschaften
- Material
- Silizium
Beschreibung
Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc. verfügen über eine fortschrittliche 6-Zoll-Technologie, um einen extrem niedrigen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on) zu erreichen. Aus diesem Grund haben diese MOSFETs einen geringen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.
Merkmal:
VDS=100V,ID=40A
Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ)
Erweiterter sicherer Betriebsbereich
Niedrige Rückwärtsübertragungskapazitäten
100% Einzelimpuls-Lawinenenergietest
Anwendung
-Stromschaltanwendung
-DC-Motorsteuerung
- USV
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Kataloge
RM40N10PK
5 Seiten
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Mosfet power semi conductors
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.