Hochspannungs-Widerstand-MOSFET RVS47N60PN

RVS47N60PN/PT ist ein N-Kanal-Hochspannungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf der neuen Plattform der Rongtech-Mos-Technologie basiert. Er erreicht niedrige Leitungsverluste und Schaltverluste. Er ermöglicht den Konstrukteuren die Entwicklung von Leistungswandlern mit hohem Wirkungsgrad, hoher Leistungsdichte und hervorragendem thermischen Verhalten. Darüber hinaus ist er universell einsetzbar, d.h. er eignet sich für harte und weiche Schalttopologien. MERKMALE * 47A, 600V, Ros(on)(typ.)=55mQ@VGS=10V * Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie * Extrem niedrige Gate-Ladung * Periodische Avalanche-Bewertung * Extrem hoher dv/dt-Wert * Hohe Spitzenstromfähigkeit