- Produkte
- Silizium-MOSFET
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Silizium-MOSFET RM40N10PA
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Eigenschaften
- Material
- Silizium
Beschreibung
Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc,. Die fortschrittliche 6-Zoll-Technologie ermöglicht einen extrem niedrigen statischen Drain-to-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Aus diesem Grund haben diese MOSFETs einen geringen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit erhöht.
Allgemeine Merkmale
-VDS=100V,ID=40A
Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ)
-Erweiterter sicherer Betriebsbereich
-geringe Rückwärtsübertragungskapazitäten
100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
Anwendung
-Anwendung zum Schalten von Strom
-DC Motorsteuerung
- USV
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Kataloge
RM40N10PA
5 Seiten
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Mosfet power semi conductors
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.