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Silizium-MOSFET RM20N10PA

Silizium-MOSFET - RM20N10PA - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Silizium-MOSFET - RM20N10PA - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Eigenschaften

Material
Silizium

Beschreibung

Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc,. Die fortschrittliche 6-Zoll-Technologie ermöglicht einen extrem niedrigen statischen Drain-to-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Aus diesem Grund hat dieser MOSFETs einen niedrigen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit verbessert. Allgemeine Merkmale -VDS=100V,ID=20A, Rdson≦70mΩ @VGS=10V (Typ:58mΩ) -Erweiterter sicherer Betriebsbereich -geringe Rückwärtsübertragungskapazitäten 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest Anwendung -Anwendung für Leistungsschaltung -DC-Motorsteuerung - USV

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Kataloge

RM20N10PA
RM20N10PA
5 Seiten
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.