Diese MOSFETs von Rongtech Industry (ShangHai) Inc,. Die fortschrittliche 6-Zoll-Technologie ermöglicht einen extrem niedrigen statischen Drain-to-Source-Einschaltwiderstand RDS(on). Aus diesem Grund hat dieser MOSFETs einen niedrigen Energieverbrauch während der Anwendung, was auch die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit verbessert.
Allgemeine Merkmale
-VDS=100V,ID=20A, Rdson≦70mΩ @VGS=10V (Typ:58mΩ)
-Erweiterter sicherer Betriebsbereich
-geringe Rückwärtsübertragungskapazitäten
100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
Anwendung
-Anwendung für Leistungsschaltung
-DC-Motorsteuerung
- USV
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