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- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTU150HF120FA2Leistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
150 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Merkmale:
- 1200V150A, VCE(sat)(typ. )=3.0V
-Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit
-Hervorragende Kurzschlussrobustheit
-62mm Halbbrückenmodul
Allgemeine Anwendungen:
Die IGBTs von Daxin bieten ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten für Anwendungen wie Schweißen, induktive Erwärmung, USV und andere Hochfrequenzanwendungen
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Kataloge
RTU150HF120FA2
7 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.