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- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTU50HF120FA1Leistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
50 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Merkmale:
-1200V50A,VCE(sat)(typ.)=3.0V
-Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit
-Hervorragende Kurzschlussrobustheit
-34mm Halbbrückenmodul
Allgemeine Anwendungen:
Die IGBTs von Rongtech bieten ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten für Anwendungen wie Schweißen, induktive Erwärmung, USV und andere Hochfrequenzanwendungen
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Kataloge
RTU50HF120FA1
7 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.